電化學(xué)工作站要應(yīng)用領(lǐng)域： 1．研究電化學(xué)機(jī)理。 2．生物技術(shù) 3．物質(zhì)的定性定量分析。 4．常規(guī)電化學(xué)測(cè)試。 5．納米科學(xué)研究 6．傳感器研究 7．金屬腐蝕研究 8．電池研究 9．電鍍研究 RST5200主要測(cè)量技術(shù) 線性掃描伏安法 （LSV） 恒電位電解電流-時(shí)間曲線（I-T） 循環(huán)伏安法 （CV） 恒電位電解電量-時(shí)間曲線（Q-T） 線性掃描溶出伏安法 （LSV） 恒電位溶出電流-時(shí)間曲線（I-T） 階梯伏安法 （SCV） 恒電位溶出電量-時(shí)間曲線（Q-T） 階梯循環(huán)伏安法（SCV） 單電位階躍計(jì)時(shí)電流法（I-T） 階梯溶出伏安法 （SCV） 多電位階躍計(jì)時(shí)電流法（I-T） 方波伏安法 （SWV） 單電位階躍計(jì)時(shí)電量法（Q-T） 方波循環(huán)伏安法 （SWV） 多電位階躍計(jì)時(shí)電量法（Q-T） 方波溶出伏安法 （SWV） 電位溶出E-T曲線 常規(guī)脈沖伏安法 （NPV 開(kāi)路電勢(shì)E-T曲線 差示脈沖伏安法 （DPV） 單電流階躍計(jì)時(shí)電位法 差示脈沖溶出伏安法 （DPV） 多電流階躍計(jì)時(shí)電位法 差示常規(guī)脈沖伏安法 （DNPV） 控制電流E-T曲線 塔菲爾圖 （TAFEL） 脈沖電鍍E-T曲線 交流溶出伏安法 交流伏安法 交流阻抗方法 交流循環(huán)伏安法 電池檢測(cè)充電方法 電池檢測(cè)放電方法 RST5200主要技術(shù)指標(biāo)
電位控制范圍：±12.8V 輸出電流:>±2A 電流控制范圍：±500mA 輸入偏置電流：<20pA 槽壓：±15V 掃描速率：0.001mV/S-- 20，000V/S 電位上升時(shí)間﹤0.25微秒 切換速率（無(wú)負(fù)載）：>20V/mS
靈敏度1╳10-14A 偏置電壓:<10V 電流測(cè)量分辨率﹤0.01pA 輸入阻抗：>1013W//<10pF 電位分辨率：0.001mV 脈沖電流：±1A 設(shè)置脈沖電流數(shù)：8個(gè) 運(yùn)行時(shí)間：0--100，000s 頻率響應(yīng)：0.00001 Hz~125kHz 正弦波失真：<1% 測(cè)量范圍：分25擋，從0.5A 到5nA 電流分辨率：15fA
通訊接口：RS232與USB互換 取樣間隔：0.0001mV--500mV 量程：5nA--500mA 25檔 電位增量：0.1mV--500mV 循環(huán)次數(shù)：10000次 脈沖重復(fù)次數(shù)：65000 RST5200系列配置單 名稱 數(shù)量 單價(jià) （元/RMB） 工作站主機(jī) 1臺(tái) 60800 攪拌連接器 1臺(tái) 隨機(jī)配置 軟件光盤 1張 隨機(jī)配置 電極架 1個(gè) 隨機(jī)配置 金元盤工作電極 1支 隨機(jī)配置 雙鉑工作輔助電極 1支 隨機(jī)配置 甘汞參比電極 1支 隨即配置 使用說(shuō)明書 1本 隨即配置 電源線 2條 隨即配置 電極線 1條 隨即配置 信號(hào)線 1條 隨即配置 模擬電解池 1個(gè) 隨即配置 測(cè)試藥品 1份 隨即配置 我公司生產(chǎn)有各種工作電極 輔助電極、參比電極、電極架、電解池供電化學(xué)使用人員選購(gòu)。
售后服務(wù)： 1． 儀器售出后供方按合同要求按時(shí)到使用單位安裝、調(diào)試。 2． 保證儀器在兩年內(nèi)正常使用，使用中如果發(fā)生問(wèn)題，生產(chǎn)方接到通知后立即做出反應(yīng)，屬于使 用問(wèn)題：供方在或微機(jī)中遠(yuǎn)程支持解決問(wèn)題;屬于儀器內(nèi)在質(zhì)量問(wèn)題，生產(chǎn)方保證在24小時(shí) 內(nèi)帶儀器奔赴現(xiàn)場(chǎng)檢查、維修、或更新，產(chǎn)生的一切費(fèi)用有供方負(fù)責(zé)。 3． 人為損壞修復(fù)時(shí)產(chǎn)生的費(fèi)用由使用方自理。 4． 本公司儀器售出后全部實(shí)行終身維修。 | 
